Диоды КД503А кремниевые, эпитаксиальные, импульсные.
Предназначены для применения в качестве переключающих элементов в импульсных быстродействующих устройствах наносекундного диапазона.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.

Основные технические характеристики диода КД503А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 30 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 20 мА;
• fд - Рабочая частота диода: 350 мГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 10 мкА при Uoбp 30 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,01 мкс;
• Сд - Общая емкость: 5 пФ

Характеристики

Код товару

КД503А

Виробник

Дніпро

Країна виробництва

Україна

Матеріал виготовлення

кремній

Дивіться також

Тиристори Тип - напівпровідниковий Тип - діод Шотткі Супресор Діоди 1n4007 Білі світлодіоди Імпульсний діод Лавинні діоди Діод 1n5408 Діод RL207