Транзистор SI2308BDS-T1-GE3 (SSOT-23)

Транзистор SI2308BDS-T1-GE3 (Marking code: L8)

N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

Корпус (SSOT-23-3)

Потужні транзистори MOSFET добре відомі своєю винятковою швидкістю перемикання при дуже малій потужності управління, яку потрібно прикладати до затвора. Основна причина в тому, що затвор ізольований, тому потрібна потужність тільки на перезаряд ємності затвор-витік, і в статичному режимі затвора ланцюг практично не споживає струму. Щодо цього потужні MOSFET за своїми характеристиками наближаються до "ідеального перемикача". Основні недоліки, які не дають MOSFET стати "ідеальним", це опір відкритого каналу RDS(on), і значна величина позитивного температурного коефіцієнта (що вище температура, тим вищий опір відкритого каналу).

P D F - https://www.vishay.com/docs/69958/si2308bd.pdf