Транзистор IRLB8721PBF (TO-220AB)
Умови повернення та обміну
Умови гарантії
64,50 ₴
Мін. сума замовлення у продавця 100 ₴
В наявності 10 шт.
Доставка
Нова Пошта
90 ₴, Безкоштовно від 1 000 ₴
Оплата
Оплата на картку «Приватбанк»
Оплата на картку «Monobank»
Післяплата
Опис
N - КАНАЛ MOSFET
IRLB8721PBF (TO-220AB)
МОП-структура — полупроводниковая структура, применяемая при производстве микросхем и дискретных полевых транзисторов. Полупроводниковые приборы на основе этой структуры называют МОП-транзисторами (от слов «металл-оксид-полупроводник», англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, сокращенно «MOSFET»), МДП-транзисторами (от слов «металл-диэлектрик-полупроводник») или транзисторами с изолированным затвором (так как у таких транзисторов затвор отделён от канала тонким слоем диэлектрика).[1]
В отличие от биполярных транзисторов, которые управляются током, транзисторы с изолированным затвором управляются напряжением, так как, по причине изолированного управляющего электрода (затвора) такие транзисторы обладают очень высоким входным сопротивлением.
Техническая документация:
https://www.infineon.com/dgdl/irlb8743pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356605d6b2593
Характеристики
Код товару
IRLB8721
Виробник
International Rectifier
Країна виробництва
США
Тип
польові
Вид
одноперехідні
Вид виконання
корпусні
Конструкція корпусу
пластмасовий
Тип монтажу
вставний
Тип транзистора
MOSFET
Тип биполярного транзистора
N-канал